半导体中的电场效应是基于电流和电压的非线性关系；同样地，材料对于光场的非线性响应也能被用于光调制。例如，具有可饱和吸收特性的材料当激发光强度到一定程度时，其透过率显著增高，变现为光开关效应，并能被用于产生超快脉冲。目前，已经在多种材料中观察到了可饱和吸收特性，包括有带隙的材料和无带隙的材料石墨烯等。然而有带隙的材料吸收带宽小，而无带隙的材料由于Dirac点附近的态密度小而吸收强度低，这限制了饱和吸收体材料的可工作波段的带宽和强度。本文中，我们提出基于半导体纳米晶表面等离子体效应的可饱和吸收体，该可饱和吸收体具有同时覆盖近红外和中红外的超宽工作带宽（＞400 THz），超快的载流子衰减速率（~315 fs）以及非常大的调制深度（~7 dB）。利用该可饱和吸收体，我们分别实现了1.0， 1.5 和2.8 um的脉冲激光，覆盖了整个近红外波段以及部分中红外波段，最小脉宽达几百飞秒。该非传统表面等离子体纳米晶的合成方法简单、共振峰位可调以及超宽带的光学非线性响应，为红外非线性光子学及其功能构筑提供了一种新型的材料载体。
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